IRFH7932TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH7932TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH7932TRPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 100µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) Single Die | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 25A, 10V | |
電力消費(最大) | 3.4W (Ta) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4270 pF @ 15 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 51 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Ta), 104A (Tc) | |
基本製品番号 | IRFH7932 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH7932TRPBFと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRFH7932TRPBF | IRFH7923TRPBF | IRFH7934TRPBF | IRFH8202TRPBF |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Ta), 104A (Tc) | 15A (Ta), 33A (Tc) | 24A (Ta), 76A (Tc) | 47A (Ta), 100A (Tc) |
基本製品番号 | IRFH7932 | - | IRFH7934 | IRFH8202 |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 51 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 4.5 V | 110 nC @ 10 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 25 V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 100µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 150µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET®, StrongIRFET™ |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) Single Die | PQFN (5x6) Single Die | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4270 pF @ 15 V | 1095 pF @ 15 V | 3100 pF @ 15 V | 7174 pF @ 13 V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 25A, 10V | 8.7mOhm @ 15A, 10V | 3.5mOhm @ 24A, 10V | 1.05mOhm @ 50A, 10V |
FET特長 | - | - | - | - |
Vgs(最大) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
電力消費(最大) | 3.4W (Ta) | - | 3.1W (Ta) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRFH7932TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH7932TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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