IRFB5620PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFB5620PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFB5620PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 72.5mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 144W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1710 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFB5620 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFB5620PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFB5620PBF | IRFB4710PBF | IRFB59N10DPBF | IRFB61N15DPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | International Rectifier |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 100 V | 100 V | 150 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 72.5mOhm @ 15A, 10V | 14mOhm @ 45A, 10V | 25mOhm @ 35.4A, 10V | 32mOhm @ 36A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 電力消費（最大） | 144W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | 75A (Tc) | 59A (Tc) | 60A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 基本製品番号 | IRFB5620 | IRFB4710 | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1710 pF @ 50 V | 6160 pF @ 25 V | 2450 pF @ 25 V | 3470 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V |
IRFB5620PBF - Infineon TechnologiesのIRFB5620PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFB5615Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB7336Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB4710PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 75A TO220ABIRFB59N10DPBFInternational RectifierSMPS HEXFET POWER MOSFET
IRFB52N15DIR/VISHAYIRFB61N15DIRIRFB61N15DPBF MOSIRIRFB61N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 60A TO220ABIRFB5620IRIRFB5615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 35A TO220ABIRFB52N15DPBIRIRFB59N10D MOSIRIRFB59N10DIR/VISHAYIRFB4710 MOSIRIRFB5N50LIRIRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 51A TO220ABIRFB52N15DPBF.IRIRFB4710PBF.IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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