IRFB52N15DPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFB52N15DPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFB52N15DPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 36A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 230W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2770 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 89 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 51A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFB52 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFB52N15DPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFB52N15DPBF | IRFB4620PBF | IRFB5615PBF | IRFB5620PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 230W (Tc) | 144W (Tc) | 144W (Tc) | 144W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 36A, 10V | 72.5mOhm @ 15A, 10V | 39mOhm @ 21A, 10V | 72.5mOhm @ 15A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 89 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 51A (Tc) | 25A (Tc) | 35A (Tc) | 25A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 200 V | 150 V | 200 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | - |
| 基本製品番号 | IRFB52 | IRFB4620 | IRFB5615 | IRFB5620 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5V @ 100µA | 5V @ 100µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2770 pF @ 25 V | 1710 pF @ 50 V | 1750 pF @ 50 V | 1710 pF @ 50 V |
IRFB52N15DPBF - Infineon TechnologiesのIRFB52N15DPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFB59N10D MOSIRIRFB4710 MOSIRIRFB4620PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 25A TO220ABIRFB5615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 35A TO220ABIRFB59N10DIR/VISHAY
IRFB4620PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB52N15DIR/VISHAYIRFB4615PBF MOSIRIRFB4620IRIRFB5620IRIRFB5620PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 25A TO220ABIRFB4710PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 75A TO220ABIRFB5615Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB4710Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB52N15DPBF.IRIRFB4710PBF.IRIRFB59N10DPBFInternational RectifierSMPS HEXFET POWER MOSFETIRFB52N15DPBIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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