IRF9520NSの技術仕様
Infineon Technologies - IRF9520NS技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF9520NS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 480mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF9520NSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF9520NS | IRF9520NSTRR | IRF9520NPBF | IRF9511 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | - | 20W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 80 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 480mOhm @ 4A, 10V | 480mOhm @ 4A, 10V | 480mOhm @ 4A, 10V | 1.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Tc) | 6.8A (Tc) | 6.8A (Tc) | 3A (Tc) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
IRF9520NS - Infineon TechnologiesのIRF9520NS PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF9510STRPBFIRIRF9520NSTRRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9511Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9520NSTRLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRF9520Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9520PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9520NSTRLPBF MOSIRIRF9520N MOSIRIRF9520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9520NIRIRF9510STRRVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
IRF9520NLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO262IRF9520NSTRLPBF.IRIRF9520NS/F9520NSIRIRF9520NSPBF MOSIRIRF9520NSTRRPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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