IRF9520NLの技術仕様
Infineon Technologies - IRF9520NL技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF9520NL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 480mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF9520NLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF9520NL | IRF9511 | IRF9520 | IRF9520NSPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | 20W (Tc) | 60W (Tc) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Tc) | 3A (Tc) | 6.8A (Tc) | 6.8A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 480mOhm @ 4A, 10V | 1.2Ohm @ 1.5A, 10V | 600mOhm @ 4.1A, 10V | 480mOhm @ 4A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | HEXFET® |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-220AB | TO-220AB | D2PAK |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 80 V | 100 V | 100 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRF9520NL - Infineon TechnologiesのIRF9520NL PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF9511Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9520NS/F9520NSIRIRF9520Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9520NIRIRF9520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9520NSTRLPBF MOSIRIRF9520NSTRRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9510STRRVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 6A TO220ABIRF9510STRLPBF MOSIRIRF9510STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520NSPBF MOSIR
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9520N MOSIRIRF9510STRPBFIRIRF9510STRL MOSIRIRF9520NSTRLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9520NSInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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