IRF7506TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7506TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7506TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 1.2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.25W | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 180pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF7506 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7506TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7506TRPBF | IRF7509TR | IRF7506TR | IRF7503TR |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| 基本製品番号 | IRF7506 | IRF7509 | IRF7506 | IRF7503 |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 180pF @ 25V | 210pF @ 25V | 180pF @ 25V | 210pF @ 25V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 電力 - 最大 | 1.25W | 1.25W | 1.25W | 1.25W |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11nC @ 10V | 12nC @ 10V | 11nC @ 10V | 12nC @ 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 110mOhm @ 1.4A, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 135mOhm @ 1.7A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A | 2.7A, 2A | 1.7A | 2.4A |
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IRF7509TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
IRF7504TRPBF MSOP8IRIRF7506TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8IRF7503TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8IRF7507IRIRF7504TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8IRF7504TRPBF MOSIRIRF7507TRPBF MOSIRIRF7509TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8IRF7504IRIRF7503TRPBF MOSIR
IRF750AFairchild (onsemi)IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8IRF7503TR MOSIRIRF7507 MOSIRIRF7521IRIRF7509TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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