IRF7424TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7424TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7424TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.5mOhm @ 11A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4030 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRF7424 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7424TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7424TRPBF | IRF7424PBF | IRF7425TRPBF | IRF7422D2PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 2.7V, 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | FETKY™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 基本製品番号 | IRF7424 | - | IRF7425 | - |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2W (Ta) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±12V | ±12V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4030 pF @ 25 V | 4030 pF @ 25 V | 7980 pF @ 15 V | 610 pF @ 15 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | 20 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.5mOhm @ 11A, 10V | 13.5mOhm @ 11A, 10V | 8.2mOhm @ 15A, 4.5V | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 130 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 4.5 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) | 11A (Ta) | 15A (Ta) | 4.3A (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | Schottky Diode (Isolated) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
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IRF7424PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8SO
IRF7424PBF-1IRIRF7425TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SO
IRF7422TRCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIRF7424GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIRF7424IRIRF7425TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SOIRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIRF7424TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIRF7422TRPBFIRIRF7424TRPBF MOSIRIRF7424 MOSIRIRF7425PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SOIRF7433PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SOIRF7425Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SOIRF7433Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SOIRF7433TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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