IRF7422D2PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7422D2PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7422D2PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | FETKY™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7422D2PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7422D2PBF | IRF7422D2TRPBF | IRF7424TR | IRF7424GTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| シリーズ | FETKY™ | FETKY™ | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 15 V | 610 pF @ 15 V | 4030 pF @ 25 V | 4030 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 4.5 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) | 4.3A (Ta) | 11A (Tc) | 11A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | 13.5mOhm @ 11A, 10V | 13.5mOhm @ 11A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
IRF7422D2PBF - Infineon TechnologiesのIRF7422D2PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
IRF7422D2IRIRF7424TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIRF7424GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIRF7424IRIRF7421D1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIRF7424PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIRF7421TRPBFIRIRF7422IRFIRF7424 MOSIRIRF7424PBF-1IR
IRF7422TRCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7421IRIRF7421QTRPBFVBSEMIIRF7421D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIRF7422TRPBFIRIRF7420TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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