IRF7353D1の技術仕様
Infineon Technologies - IRF7353D1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7353D1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | FETKY™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 5.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7353D1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7353D1 | IRF7353D1PBF | IRF7353D1TRPBF | IRF7353D1TR |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 5.8A, 10V | 32mOhm @ 5.8A, 10V | 32mOhm @ 5.8A, 10V | 32mOhm @ 5.8A, 10V |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V |
IRF7353D1 - Infineon TechnologiesのIRF7353D1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7353D1TRPBF MOSIRIRF7353D2QTRPBF.IRIRF7351IRIRF7353D1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOICIRF7353D1TRPBF.IRIRF7351TRPBF.IRIRF7351PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOICIRF7353IRIRF7353D2QTRPBFIRIRF7353D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7353D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7353D1TR MOSIRFIRF7350TRPBF.IRIRF7350TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
IRF7351TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7351TRIRIRF7353D2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。