IRF7351PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7351PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7351PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 50µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.8mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330pF @ 30V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF7351PBF |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7351PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7351PBF | IRF7351TRPBF | IRF7343TRPBF | IRF7350TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 60V | 55V | 100V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A | 8A | 4.7A, 3.4A | 2.1A, 1.5A |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 50µA | 4V @ 50µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330pF @ 30V | 1330pF @ 30V | 740pF @ 25V | 380pF @ 25V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.8mOhm @ 8A, 10V | 17.8mOhm @ 8A, 10V | 50mOhm @ 4.7A, 10V | 210mOhm @ 2.1A, 10V |
| 基本製品番号 | IRF7351PBF | IRF7351 | IRF734 | IRF7350 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36nC @ 10V | 36nC @ 10V | 36nC @ 10V | 28nC @ 10V |
IRF7351PBF - Infineon TechnologiesのIRF7351PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOICIRF7353D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IRF7353D1TR MOSIRFIRF7353D1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7351TRPBF.IRIRF7345TRPBFIRIRF7353IRIRF7343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
IRF7343TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7351IRIRF7353D1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7343TRIRIRF7350 MOSIRIRF7350TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
IRF734PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 450V 4.9A TO220ABIRF7350TRPBF.IRIRF7351TRIRIRF7351TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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