IRF6607の技術仕様
Infineon Technologies - IRF6607技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF6607仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±12V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 25A, 10V | |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) | |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6930 pF @ 15 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 7V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 27A (Ta), 94A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF6607と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
部品型番 | IRF6607 | IRF6601 | IRF6604TR1 | IRF6602 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 7V | 4.5V, 10V | 4.5V, 7V | 4.5V, 10V |
シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 27A (Ta), 94A (Tc) | 26A (Ta), 85A (Tc) | 12A (Ta), 49A (Tc) | 11A (Ta), 48A (Tc) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 25A, 10V | 3.8mOhm @ 26A, 10V | 11.5mOhm @ 12A, 7V | 13mOhm @ 11A, 10V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6930 pF @ 15 V | 3440 pF @ 15 V | 2270 pF @ 15 V | 1420 pF @ 10 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 20 V | 30 V | 20 V |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT | DirectFET™ Isometric MT | DirectFET™ Isometric MQ | DirectFET™ Isometric MQ |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT | DIRECTFET™ MT | DIRECTFET™ MQ | DIRECTFET™ MQ |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75 nC @ 4.5 V | 45 nC @ 4.5 V | 26 nC @ 4.5 V | 18 nC @ 4.5 V |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Vgs(最大) | ±12V | ±20V | ±12V | ±20V |
FET特長 | - | - | - | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRF6607 - Infineon TechnologiesのIRF6607 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。