IRF6601の技術仕様
Infineon Technologies - IRF6601技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF6601仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 26A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3440 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Ta), 85A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF6601と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF6601 | IRF654B | IRF6602 | IRF644STRR |
| メーカー | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 26A, 10V | - | 13mOhm @ 11A, 10V | 280mOhm @ 8.4A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 4.5 V | - | 18 nC @ 4.5 V | 68 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT | - | DirectFET™ Isometric MQ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT | - | DIRECTFET™ MQ | D²PAK (TO-263) |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | - | 2.3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | * | HEXFET® | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Ta), 85A (Tc) | - | 11A (Ta), 48A (Tc) | 14A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | - | 20 V | 250 V |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 42W (Tc) | - | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3440 pF @ 15 V | - | 1420 pF @ 10 V | 1300 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
IRF6601 - Infineon TechnologiesのIRF6601 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF654BFairchild SemiconductorIRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N-IRF654AFairchild (onsemi)IRF650BIRIRF6602Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFETIRF644STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 14A D2PAKIRF654IRIRF6603TRPBFIRFIRF6604IRIRF6604TRPBFIRFIRF6604TR1 MOSIRIRF6603Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFETIRF6603TRIRIRF6607TRIRIRF6604TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFETIRF6607Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFETIRF644STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 14A D2PAKIRF644STRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 14A D2PAKIRF644STRLPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。