IRF5810TRの技術仕様
Infineon Technologies - IRF5810TR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF5810TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 960mW | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650pF @ 16V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.6nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF58 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF5810TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF5810TR | IRF5851TRPBF | IRF5852TR | IRF5810TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A | 2.7A, 2.2A | 2.7A | 2.9A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力 - 最大 | 960mW | 960mW | 960mW | 960mW |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650pF @ 16V | 400pF @ 15V | 400pF @ 15V | 650pF @ 16V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.6nC @ 4.5V | 6nC @ 4.5V | 6nC @ 4.5V | 9.6nC @ 4.5V |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 基本製品番号 | IRF58 | IRF58 | IRF58 | IRF58 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 1.25V @ 250µA | 1.25V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
IRF5810TR - Infineon TechnologiesのIRF5810TR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF5851TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
IRF5806TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5803TRPBCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5806TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 4A MICRO6IRF5852TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOPIRF5803TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6IRF5810TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOPIRF5850TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOPIRF5851TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
IRF5850TRPBF MOSIRIRF5803TRPBF MOSIRIRF5850TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOPIRF5852TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOPIRF5805TRPBFInternational RectifierIRF5805 - TRANSISTORIRF5820TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5804TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6IRF5806TRPBF.IRIRF5803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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