IRF5806TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF5806TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF5806TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 86mOhm @ 4A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 594 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF5806TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF5806TRPBF | IRF5803TRPBF | IRF5803TR | IRF5804TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 2.5A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.4 nC @ 4.5 V | 37 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 8.5 nC @ 10 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 594 pF @ 15 V | 1110 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 86mOhm @ 4A, 4.5V | 112mOhm @ 3.4A, 10V | 112mOhm @ 3.4A, 10V | 198mOhm @ 2.5A, 10V |
IRF5806TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF5806TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF5803D2TRPBF.IRIRF5803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6IRF5850TRPBF MOSIRIRF5806TRPBF.IRIRF5803TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6IRF5803TRPBF MOSIRIRF5810TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOPIRF5850TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOPIRF5850TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOPIRF5803GTRPBFVBSEMIIRF5851TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
IRF5803TRPBCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5804TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6IRF5806TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5810TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
IRF5803D2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A 8SOIRF5820TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5805TRPBFInternational RectifierIRF5805 - TRANSISTOR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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