画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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IRF3711 - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IRF3711
- Allelco 部品型番
- 32D-IRF3711
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
IRF3711.pdf
- 認定
- 在庫あり: 5210
IRF3711の技術仕様
Infineon Technologies - IRF3711技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF3711仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2980 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF3711と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF3711 | IRF3710ZSTRLPBF | IRF3711S | IRF3711STRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | 59A (Tc) | 110A (Tc) | 110A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2980 pF @ 10 V | 2900 pF @ 25 V | 2980 pF @ 10 V | 2980 pF @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44 nC @ 4.5 V | 120 nC @ 10 V | 44 nC @ 4.5 V | 44 nC @ 4.5 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 100 V | 20 V | 20 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | 160W (Tc) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 15A, 10V | 18mOhm @ 35A, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V |
IRF3711 - Infineon TechnologiesのIRF3711 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF3711S MOSIRIRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 59A D2PAKIRF3711SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A D2PAKIRF3711STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A D2PAKIRF3710ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 59A D2PAKIRF3710ZSIRIRF3710ZIRIRF3711STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A D2PAKIRF3711STRIRIRF3710ZS/F3710ZSIRIRF3710ZS MOSIRIRF3710STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
IRF3710ZSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF3711STRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A D2PAKIRF3711STRR MOSIRIRF3710ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 59A TO220ABIRF3711STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A D2PAKIRF3711PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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