IRF3710ZPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF3710ZPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF3710ZPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 59A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF3710 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF3710ZPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF3710ZPBF | IRF3710SPBF | IRF3710ZSTRLPBF | IRF3710STRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 59A (Tc) | 57A (Tc) | 59A (Tc) | 57A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | 200W (Tc) | 160W (Tc) | 200W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V | 3130 pF @ 25 V | 2900 pF @ 25 V | 3130 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 基本製品番号 | IRF3710 | - | IRF3710 | IRF3710 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 35A, 10V | 23mOhm @ 28A, 10V | 18mOhm @ 35A, 10V | 23mOhm @ 28A, 10V |
IRF3710ZPBF - Infineon TechnologiesのIRF3710ZPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF3710STRPBFIRIRF3710SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 57A D2PAKIRF3710STRLIRIRF3710ZSIRIRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 59A D2PAKIRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 57A D2PAKIRF3710STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 57A D2PAKIRF3711Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A TO220ABIRF3710ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 59A D2PAKIRF3710ZS/F3710ZSIRIRF3710STRLPBIR
IRF3710ZSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF3711PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A TO220ABIRF3710ZIRIRF3710STRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 57A D2PAKIRF3710STRIRIRF3711SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 110A D2PAKIRF3710ZS MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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