IRF300P226の技術仕様
Infineon Technologies - IRF300P226技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF300P226仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 270µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 45A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 556W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10030 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 191 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF300 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF300P226と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF300P226 | IRF3007STRLPBF | IRF3007PBF | IRF3000 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 45A, 10V | 12.6mOhm @ 48A, 10V | 12.6mOhm @ 48A, 10V | 400mOhm @ 960mA, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 75 V | 75 V | 300 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 270µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | D2PAK | TO-220AB | 8-SO |
| 基本製品番号 | IRF300 | IRF3007 | IRF3007 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 191 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | 62A (Tc) | 75A (Tc) | 1.6A (Ta) |
| シリーズ | StrongIRFET™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10030 pF @ 50 V | 3270 pF @ 25 V | 3270 pF @ 25 V | 730 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 556W (Tc) | 120W (Tc) | 200W (Tc) | 2.5W (Ta) |
IRF300P226 - Infineon TechnologiesのIRF300P226 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF3090irIRF31N20DCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF3138CSIRIRF30N10CHNIRF3205IRIGBT ModuleIRF3000TRPBFIRFIRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 75V 62A D2PAKIRF3007PBFInternational RectifierHEXFET AUTOMOTIVE POWER MOSFETIRF3007L MOSIRIRF3007S MOSIRIRF3000Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 1.6A 8SOIRF31N20DPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF3007SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 62A D2PAKIRF3000PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF3205PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 110A TO220ABIRF3007SIRIRF300P227Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 50A TO247ACIRF3007IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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