IRF3000の技術仕様
Infineon Technologies - IRF3000技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF3000仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 960mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 730 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF3000と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF3000 | IRF3000PBF | IRF3007PBF | IRF2907ZS-7PPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 960mA, 10V | 400mOhm @ 960mA, 10V | 12.6mOhm @ 48A, 10V | 3.8mOhm @ 110A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 300 V | 75 V | 75 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 730 pF @ 25 V | 730 pF @ 25 V | 3270 pF @ 25 V | 7580 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 200W (Tc) | 300W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | TO-220AB | D2PAK (7-Lead) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) | 1.6A (Ta) | 75A (Tc) | 160A (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRF3000 - Infineon TechnologiesのIRF3000 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF3000PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 1.6A 8SOIRF3007PBFInternational RectifierHEXFET AUTOMOTIVE POWER MOSFET
IRF2907ZSTRL7PP MOSIRIRF3007SIRIRF2907ZS-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 160A D2PAKIRF3007L MOSIR
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 75V 62A D2PAKIRF2907ZS-7PTRRPBFIRIRF2907ZSTRPBFIR
IRF300P226Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 100A TO247ACIRF2907ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 160A D2PAKIRF2N60SUNTACIRF3007SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 62A D2PAKIRF2907ZS-7PTPLPBFIRIRF3007S MOSIRIRF3007IRIRF3000TRPBFIRFIRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 160A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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