IRF2804SPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF2804SPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF2804SPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6450 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF2804SPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF2804SPBF | IRF2804PBF | IRF2804STRL-7P | IRF2804LPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | TO-220AB | D2PAK (7-Lead) | TO-262 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 330W (Tc) | 300W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 75A, 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V | 1.6mOhm @ 160A, 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6450 pF @ 25 V | 6450 pF @ 25 V | 6930 pF @ 25 V | 6450 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 160A (Tc) | 75A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
IRF2804SPBF - Infineon TechnologiesのIRF2804SPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF2804PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF2804STRL-7PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
IRF2804STRIRIRF2804LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO262IRF2804STRPBFIRIRF2804LIRIRF2804S-7PIRIRF2804Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRF2804L MOSIRIRF2805IRIRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A D2PAKIRF2804S-7PPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRF2805 MOSIRIRF2804STRR7PPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A D2PAKIRF2804S-7TRRPBFIRIRF2804SIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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