IRF2804LPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF2804LPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF2804LPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6450 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF2804 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF2804LPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF2804LPBF | IRF250P224 | IRF250P225 | IRF2804PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 75A, 10V | 12mOhm @ 58A, 10V | 22mOhm @ 41A, 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6450 pF @ 25 V | 9915 pF @ 50 V | 4897 pF @ 50 V | 6450 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 270µA | 4V @ 270µA | 4V @ 250µA |
| 基本製品番号 | IRF2804 | IRF250 | IRF250 | IRF2804 |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 313W (Tc) | 313W (Tc) | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-247AC | TO-247AC | TO-220AB |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 203 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 250 V | 250 V | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 96A (Tc) | 69A (Tc) | 75A (Tc) |
| シリーズ | HEXFET® | StrongIRFET™ | StrongIRFET™ | HEXFET® |
IRF2804LPBF - Infineon TechnologiesのIRF2804LPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF250P224Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 96A TO247ACIRF250P225Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 69A TO247ACIRF2804S-7TRRPBFIRIRF2804STRIR
IRF250P225 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRF2764A-2F1STMicroelectronicsIRF2804SIRIRF250IRIRF252IRIRF2804PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF2804LIRIRF2804L MOSIR
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF2804STRL-7PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A D2PAKIRF2804S-7PIRIRF2804S-7PPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF25H112IORIRF2804Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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