IR2117SPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IR2117SPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2117SPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | IR2117 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 2 (1 Year) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2117SPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2117SPBF | IR2117STR | IR2118STR | IR2117 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | 6V, 9.5V | 6V, 9.5V | 6V, 9.5V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | Single | Single |
| 入力周波数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 基本製品番号 | IR2117 | IR2117 | IR2118 | IR2117 |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP |
| 駆動構成 | High-Side | High-Side | High-Side | High-Side |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
IR2117SPBF - Infineon TechnologiesのIR2117SPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2117STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IR2117GIRIR2117SIRIR2118STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2117Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2116ASIRIR2118PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118SIRIR2117STRPBF.IR
IR2114SSInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOPIR2118SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2114SSTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOPIR2117STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2118STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2116IRIR2117PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2114SSPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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