画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IR2117PBF - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IR2117PBF
- Allelco 部品型番
- 32D-IR2117PBF
- ECADモデル
- モデルの説明
- IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 14610
IR2117PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IR2117PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2117PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | IR2117 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2117PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2117PBF | IR2114SSPBF | IR2117STRPBF | IR2118STR |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | 24ns, 7ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns |
| 入力周波数 | 1 | 2 | 1 | 1 |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting |
| 基本製品番号 | IR2117 | IR2114 | IR2117 | IR2118 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | 0.8V, 2V | 6V, 9.5V | 6V, 9.5V |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 11.5V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Independent | Single | Single |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 駆動構成 | High-Side | Half-Bridge | High-Side | High-Side |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | 2A, 3A | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | 24-SSOP | 8-SOIC | 8-SOIC |
IR2117PBF - Infineon TechnologiesのIR2117PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2114SSPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOPIR2117STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2118STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IR2116ASIRIR2117STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2117SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2117SIRIR2117GIR
IR2113STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR21141SSPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOPIR2114SSTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOPIR2118PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2117Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2116IRIR2118Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2114SSInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOPIR21141SSIRIR2118SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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