IR2111の技術仕様
Infineon Technologies - IR2111技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2111仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 8.3V, 12.6V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | IR2111 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2111と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2111 | IR2111STR | IR2110SPBF | IR2110STR |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 2A, 2A | 2A, 2A |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 8.3V, 12.6V | 8.3V, 12.6V | 6V, 9.5V | 6V, 9.5V |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Synchronous | Independent | Independent |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 3.3V ~ 20V | 3.3V ~ 20V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 25ns, 17ns | 25ns, 17ns |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | 8-SOIC | 16-SOIC | 16-SOIC |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 500 V | 500 V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 基本製品番号 | IR2111 | IR2111 | IR2110 | IR2110 |
IR2111 - Infineon TechnologiesのIR2111 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2110STRPBF.IRIR2111STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2110SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2110PIR2110STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
IR2110PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR2112Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
IR2112-1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIPIR2111PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2111SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2110E4SCBIRIR2110L4IRIR2112-1PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIPIR2110SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2111STRPBF.IRIR2111SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2111STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2110STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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