IR2110PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IR2110PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2110PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 3.3V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 25ns, 17ns | |
| パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 500 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2A, 2A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | IR2110 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2110PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2110PBF | IR2111 | IR2111STR | IR2110-2PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Synchronous | Synchronous | Independent |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2A, 2A | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 2A, 2A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 500 V | 600 V | 600 V | 500 V |
| 電源電圧 - | 3.3V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 3.3V ~ 20V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 基本製品番号 | IR2110 | IR2111 | IR2111 | IR2110 |
| パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 25ns, 17ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 25ns, 17ns |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | 8.3V, 12.6V | 8.3V, 12.6V | 6V, 9.5V |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP | 8-PDIP | 8-SOIC | 16-PDIP |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
IR2110PBF - Infineon TechnologiesのIR2110PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2111Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2111STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2110-2PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP
IR2110-1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR2109STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2111SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IR2110STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2110STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2110-1PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR2111PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2109STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2111SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2109SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IR2109STRPBF.IRIR2110E4SCBIR
IR2110SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2110SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2110Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。