IPI80N04S3-03の技術仕様
Infineon Technologies - IPI80N04S3-03技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPI80N04S3-03仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 120µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | |
| シリーズ | * | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 188W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7300 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPI80N04S3-03と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPI80N04S3-03 | IPI80N04S403AKSA1 | IPI65R099C6 | IPI80CN10NG |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 38A (Tc) | 13A (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 650 V | 100 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5mOhm @ 80A, 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 99mOhm @ 12.8A, 10V | 80mOhm @ 13A, 10V |
| 電力消費（最大） | 188W (Tc) | 94W (Tc) | 278W (Tc) | 31W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 127 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | * | OptiMOS™ | CoolMOS™ | OptiMOS™ |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 120µA | 4V @ 53µA | 3.5V @ 1.2mA | 4V @ 12µA |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7300 pF @ 25 V | 5260 pF @ 25 V | 2780 pF @ 100 V | 716 pF @ 50 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IPI80N06S4-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI80N04S403AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 80A TO262-3IPI70N12S3L-12Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI65R099C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI80N06S4-05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI80N04S4L-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI80N06S4L-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI80CN10NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI65R600C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI80N06S2-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI60R600CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI65R190CFDINFIPI65R280C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI80N04S4-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI80N04S4-03Infineon TechnologiesIPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTIPI65R380C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI70N04S4-06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI80P04P4L-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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