IPI65R600C6の技術仕様
Infineon Technologies - IPI65R600C6技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPI65R600C6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 210µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 2.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 63W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 440 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.3A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPI65R600C6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPI65R600C6 | IPI80N04S4-03 | IPI65R280C6 | IPI60R380C6 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 2.1A, 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 280mOhm @ 4.4A, 10V | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 40 V | 650 V | 600 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 210µA | 4V @ 53µA | 3.5V @ 440µA | 3.5V @ 320µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.3A (Tc) | 80A (Tc) | 13.8A (Tc) | 10.6A (Tc) |
| シリーズ | CoolMOS™ | - | CoolMOS C6™ | CoolMOS™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 440 pF @ 100 V | 5260 pF @ 25 V | 950 pF @ 100 V | 700 pF @ 100 V |
| パッケージ | Bulk | - | Bulk | Bulk |
| 電力消費（最大） | 63W (Tc) | 94W (Tc) | 104W (Tc) | 83W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
IPI80N04S4-03Infineon TechnologiesIPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTIPI65R280C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI60R380C6Infineon TechnologiesCOOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETIPI80N04S403AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 80A TO262-3IPI60R520CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI60R385CPInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI70R950CEInfineonIPI70N12S3L-12Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI65R099C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI60R600CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI65R380C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI70N10SL-16Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPI80N04S4-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI70N04S4-06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI65R190CFDINFIPI80N04S3-03Infineon TechnologiesN-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFETIPI80CN10NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI65R190C6Infineon| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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