IPG20N06S415ATMA2の技術仕様
Infineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 20µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.5mOhm @ 17A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 50W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2260pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IPG20N |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPG20N06S415ATMA2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPG20N06S415ATMA2 | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N06S3L-35 | IPG20N06S3L-23 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力 - 最大 | 50W | 43W | 30W | 45W |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 20µA | 2V @ 14µA | 2.2V @ 15µA | 2.2V @ 20µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 55V | 55V | 55V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29nC @ 10V | 12nC @ 10V | 23nC @ 10V | 42nC @ 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.5mOhm @ 17A, 10V | 65mOhm @ 15A, 10V | 35mOhm @ 11A, 10V | 23mOhm @ 16A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2260pF @ 25V | 410pF @ 25V | 1730pF @ 25V | 2950pF @ 25V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | 20A | 20A | 20A |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-10 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 |
| 基本製品番号 | IPG20N | IPG20N | IPG20N | IPG20N |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
IPG20N06S415ATMA2 - Infineon TechnologiesのIPG20N06S415ATMA2 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPG20N06S4L-14ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONIPG20N06S4L-26ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S4-15ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S4L-11Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S3L-35Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8IPG20N06S4-15A MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S4-15Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S4L-14Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S3L-45Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S3L-23Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONIPG20N06S4L-11ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONIPG20N06S4L-26Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONIPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 8TDSONIPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET_)40V 60V)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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