IPG20N06S2L50ATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 19µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 51W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 560pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IPG20N |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPG20N06S2L50ATMA1 | IPG20N06S3L-23 | IPG20N06S415ATMA2 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-10 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | 20A | 20A | 20A |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 10V | 42nC @ 10V | 29nC @ 10V | 12nC @ 10V |
| 基本製品番号 | IPG20N | IPG20N | IPG20N | IPG20N |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V | 55V | 60V | 55V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 560pF @ 25V | 2950pF @ 25V | 2260pF @ 25V | 410pF @ 25V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 15A, 10V | 23mOhm @ 16A, 10V | 15.5mOhm @ 17A, 10V | 65mOhm @ 15A, 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 電力 - 最大 | 51W | 45W | 50W | 43W |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 19µA | 2.2V @ 20µA | 4V @ 20µA | 2V @ 14µA |
IPG20N06S2L50ATMA1 - Infineon TechnologiesのIPG20N06S2L50ATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPG20N06S2L-50ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S3L-23Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 8TDSONIPG20N06S2L-65ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S2L-50Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S4-15Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S3L-45Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONIPG20N06S2L-35Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONIPG20N06S2L-35 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S3L-35Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONIPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONIPG20N06S4-15ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONIPG20N06S2L-35ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N06S2L-65Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。