IPD50N06S2L13ATMA2の技術仕様
Infineon Technologies - IPD50N06S2L13ATMA2技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD50N06S2L13ATMA2仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 80µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12.7mOhm @ 34A, 10V | |
電力消費(最大) | 136W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1800 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) | |
基本製品番号 | IPD50 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD50N06S2L13ATMA2と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IPD50N06S2L13ATMA2 | IPD50N06S3L-06 | IPD50N04S4L08ATMA1 | IPD50N06S2-14 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Vgs(最大) | ±20V | - | +20V, -16V | ±20V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 69 nC @ 10 V | - | 30 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V | 55 V | 40 V | 55 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS-T | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | - |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
電力消費(最大) | 136W (Tc) | - | 46W (Tc) | 136W (Tc) |
基本製品番号 | IPD50 | IPD50 | IPD50 | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1800 pF @ 25 V | - | 2340 pF @ 25 V | 1485 pF @ 25 V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 10V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) | 50A | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-11 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 80µA | - | 2.2V @ 17µA | 4V @ 80µA |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12.7mOhm @ 34A, 10V | - | 7.3mOhm @ 50A, 10V | 14.4mOhm @ 32A, 10V |
IPD50N06S2L13ATMA2 - Infineon TechnologiesのIPD50N06S2L13ATMA2 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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