IPD50N06S2-14の技術仕様
Infineon Technologies - IPD50N06S2-14技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD50N06S2-14仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 80µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.4mOhm @ 32A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 136W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1485 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD50N06S2-14と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD50N06S2-14 | IPD50N04S410ATMA1 | IPD50N06S2L13ATMA2 | IPD50N04S408ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 80µA | 4V @ 15µA | 2V @ 80µA | 4V @ 17µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 40 V | 55 V | 40 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-313 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電力消費（最大） | 136W (Tc) | 41W (Tc) | 136W (Tc) | 46W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.4mOhm @ 32A, 10V | 9.3mOhm @ 50A, 10V | 12.7mOhm @ 34A, 10V | 7.9mOhm @ 50A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | 18.2 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 22.4 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1485 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V | 1780 pF @ 6 V |
IPD50N06S3L-13Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313IPD50N04S4-10 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N04S4-10Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 50A TO252-31IPD50N06L13INFINIPD50N06S3-09Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N04SL-08Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 50A TO252-3IPD50N06S3L-08Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPD50N06S3-15Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N06S4-09INFIPD50N06S2-14 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N06S2L-13Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N04S4-10 4N0410Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 50A TO252-3IPD50N06S3L-06Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPD50N04S4L-08Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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