IPA60R165CPの技術仕様
Infineon Technologies - IPA60R165CP技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPA60R165CP仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 790µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 165mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 34W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPA60R165CPと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPA60R165CP | IPA60R125CP | IPA60R180P7SXKSA1 | IPA60R180P7XKSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 165mOhm @ 12A, 10V | 125mOhm @ 16A, 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 790µA | 3.5V @ 1.1mA | 4V @ 280µA | 4V @ 280µA |
| 電力消費（最大） | 34W (Tc) | 35W (Tc) | 26W (Tc) | 26W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack | PG-TO220-3-31 | PG-TO220-FP | PG-TO220 Full Pack |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 100 V | 2500 pF @ 100 V | 1081 pF @ 400 V | 1081 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | 25A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) |
| シリーズ | CoolMOS™ | CoolMOS® | CoolMOS™ P7 | CoolMOS™ P7 |
IPA60R165CP 6R165PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R125CPInfineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2IPA60R180P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220IPA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220IPA60R160P6Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORIPA60R190C6Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2IPA60R190C6 6R190C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 11A TO220IPA60R160C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPA60R180P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R190C66R190C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R180C7Infineon Technologies9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOSIPA60R125P6Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORIPA60R125P6/6R125P6INFIPA60R125PINFINEOIPA60R125CP 6R125PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R180P7INFINONIPA60R170CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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