IPA60R125CFD7XKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPA60R125CFD7XKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPA60R125CFD7XKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 390µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 7.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 32W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1503 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPA60R |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPA60R125CFD7XKSA1 | IPA60R099P7XKSA1 | IPA60R099P6XKSA1 | IPA60R125P6 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 31A (Tc) | 37.9A (Tc) | 30A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 32W (Tc) | 29W (Tc) | 34W (Tc) | 34W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack | PG-TO220-FP | PG-TO220-FP | PG-TO220-3-111 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1503 pF @ 400 V | 1952 pF @ 400 V | 3330 pF @ 100 V | 2660 pF @ 100 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 390µA | 4V @ 530µA | 4.5V @ 1.21mA | 4.5V @ 960µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | OptiMOS™ | CoolMOS™ P7 | CoolMOS™ P6 | CoolMOS™ |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 7.8A, 10V | 99mOhm @ 10.5A, 10V | 99mOhm @ 14.5A, 10V | 125mOhm @ 11.6A, 10V |
| 基本製品番号 | IPA60R | IPA60R099 | IPA60R099 | - |
IPA60R125CFD7XKSA1 - Infineon TechnologiesのIPA60R125CFD7XKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 31A TO220IPA60R125C6 6R125C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R160C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPA60R125P6/6R125P6INFIPA60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FPIPA60R125PINFINEOIPA60R099C6 6R099C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R125P6Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORIPA60R125CPInfineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2IPA60R120P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R099P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R125C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R099C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R120C7Rochester Electronics, LLCIPA60R120 - 11A, 600V, 0.12OHM,IPA60R099P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R165CPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 21A TO220IPA60R125CP 6R125PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R160P6Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。