BSS119NH6327XTSA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSS119NH6327XTSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSS119NH6327XTSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 13µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 190mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20.9 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 190mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | BSS119 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSS119NH6327XTSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSS119NH6327XTSA1 | BSS123 | BSS123E6327 | BSS123-7-F |
| メーカー | Infineon Technologies | Yangjie Technology | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 190mA (Ta) | 170mA | 170mA (Ta) | 170mA (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20.9 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 69 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | OptiMOS™ | - | SIPMOS® | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | BSS119 | - | - | BSS123 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6 nC @ 10 V | 2 nC @ 10 V | 2.67 nC @ 10 V | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 190mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 13µA | 2.8V @ 250µA | 1.8V @ 50µA | 2V @ 1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23 | SOT-23 | PG-SOT23 | SOT-23-3 |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 350mW | 360mW (Ta) | 300mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
BSS119NH6327XTSA1 - Infineon TechnologiesのBSS119NH6327XTSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSS119Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS119L7796Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS-3220D-4R7MBENJONBSS123Yangjie TechnologySOT-23 N 100V 0.2A TransistorsBSS123E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS119NH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123onsemiMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSS123,215Nexperia
BSS123215Freescale / NXP SemiconductorsBSS119N
BSS123Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSS123 MOSAMI Semiconductor/onsemiBSS123 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS101Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS119E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS119N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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