BSS123の技術仕様
onsemi - BSS123技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - BSS123仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5Ohm @ 200mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA | |
| 基本製品番号 | BSS123 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi BSS123と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSS123 | BSS123E6327 | BSS123 | BSS123 |
| メーカー | onsemi | Infineon Technologies | Yangjie Technology | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) | 360mW (Ta) | 350mW | 360mW (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA | 170mA (Ta) | 170mA | 170mA (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5Ohm @ 200mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| 基本製品番号 | BSS123 | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | PG-SOT23 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.8 nC @ 10 V | 2.67 nC @ 10 V | 2 nC @ 10 V | 2.5 nC @ 10 V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1.8V @ 50µA | 2.8V @ 250µA | 2V @ 1mA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14 pF @ 25 V | 69 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 73 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | SIPMOS® | - | - |
BSS123 - onsemiのBSS123 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
BSS123215Freescale / NXP SemiconductorsBSS123E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSS123,215Nexperia
BSS119N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123Yangjie TechnologySOT-23 N 100V 0.2A TransistorsBSS123Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIBSS119E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS101Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS119Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSS123 MOSAMI Semiconductor/onsemi
BSS119NBSS123 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3BSS119NH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS119L7796Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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