BSO300N03Sの技術仕様
Infineon Technologies - BSO300N03S技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSO300N03S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 8µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 7.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.56W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 600 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.6 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSO300N03Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSO300N03S | BSO303SP | BSO303SPH | BSO301SP |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 8µA | 2V @ 100µA | 2V @ 100µA | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 7.2A, 10V | 21mOhm @ 9.1A, 10V | 21mOhm @ 9.1A, 10V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | PG-DSO-8-1 | PG-DSO-8-1 | - |
| 電力消費（最大） | 1.56W (Ta) | 1.56W (Ta) | 1.56W (Ta) | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 600 pF @ 15 V | 2330 pF @ 25 V | 2330 pF @ 25 V | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS® -P | SIPMOS® | * |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.6 nC @ 5 V | 54 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta) | 7.2A (Ta) | 7.2A (Ta) | - |
BSO300N03S - Infineon TechnologiesのBSO300N03S PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSO211PInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFETBSO300N3SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSO303P HBSO220N03MSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO303SPInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFETBSO303SPHInfineon Technologies7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,BSO2N604LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220N03MDGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO303PInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFETBSO220N03MDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO215CInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOICBSO211PHInfineon Technologies3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,BSO301SPInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFETBSO301SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO302SNCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO207P HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO211P HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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