BSO211Pの技術仕様
Infineon Technologies - BSO211P技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSO211P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 25µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23.9nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.7A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | BSO211 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSO211Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSO211P | BSO211PH | BSO215C | BSO204P |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.7A | 4A (Ta) | 3.7A | - |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23.9nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V | 11.5nC @ 10V | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | 532-FCBGA (23x23) | 8-SO | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 25µA | 1.2V @ 25µA | 2V @ 10µA | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ P | SIPMOS® | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate | - |
| 電力 - 最大 | 2W | 1.6W (Ta) | 2W | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920pF @ 15V | 1095pF @ 15V | 246pF @ 25V | - |
| 基本製品番号 | BSO211 | BSO211 | BSO215 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V | 67mOhm @ 4.6A, 4.5V | 100mOhm @ 3.7A, 10V | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 532-BFBGA, FCBGA | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
BSO204PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220N03MDGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO211P HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO203SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N3SINFIEONBSO220N03MSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO201SPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO201SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO207P HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO2N604LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220N03MDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200P03SHBSO211PHInfineon Technologies3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,BSO300N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSOBSO215CInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOICBSO203SPInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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