BSO200N03の技術仕様
Infineon Technologies - BSO200N03技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSO200N03仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 13µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 7.9A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.4W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8nC @ 5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.6A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | BSO200 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSO200N03と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSO200N03 | BSO150N03MDGXUMA1 | BSO150N03 | BSO130P03SH |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | INF |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 電力 - 最大 | 1.4W | 1.4W | 1.4W | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8nC @ 5V | 17nC @ 10V | 15nC @ 5V | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | - |
| 基本製品番号 | BSO200 | BSO150 | BSO150 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 7.9A, 10V | 15mOhm @ 9.3A, 10V | 15mOhm @ 9.1A, 10V | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.6A | 8A | 7.6A | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 13µA | 2V @ 250µA | 2V @ 25µA | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010pF @ 15V | 1300pF @ 15V | 1890pF @ 15V | - |
BSO200N03 - Infineon TechnologiesのBSO200N03 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSO130P03SHINF
BSO200N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N3SINFIEONBSO203SPInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFETBSO200N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7A 8DSOBSO150N03MDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO130P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N03MDGInfineon TechnologiesBSO150N03 - 12V-300V N-CHANNEL PBSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSOBSO130P03SHXUMA1InfineonBSO130P03S HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200P03SHBSO201SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N03Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSOBSO200N03GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO201SPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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