BSO150N03MDGの技術仕様
Infineon Technologies - BSO150N03MDG技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSO150N03MDG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | - | |
| 技術 | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | - | |
| 運転温度 | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | - | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FETタイプ | - | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSO150N03MDGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSO150N03MDG | BSO130N03MSG | BSO119N03S | BSO200N03S |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 30 V | 30 V | 30 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | - | 1.56W (Ta) | 1.56W (Ta) | 1.56W (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | 17 nC @ 10 V | 13 nC @ 5 V | 6.5 nC @ 5 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 2V @ 250µA | 2V @ 25µA | 2V @ 10µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | 9A (Ta) | 9A (Ta) | 7A (Ta) |
| FETタイプ | - | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 1300 pF @ 15 V | 1730 pF @ 15 V | 840 pF @ 15 V |
| パッケージ/ケース | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | 13mOhm @ 11.1A, 10V | 11.9mOhm @ 11A, 10V | 20mOhm @ 8.8A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
BSO150N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO130P03SHINFBSO200P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N03GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO130N03MSGInfineon TechnologiesSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETBSO110N03MSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO130P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSOBSO150N03Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSOBSO119N3SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N3SINFIEONBSO150N03MDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO130P03S HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO104N3SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N03Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSOBSO119N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 9A 8DSOBSO200N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7A 8DSO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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