BSC150N03LDGATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 26W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.2nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | BSC150 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSC150N03LDGATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSC150N03LDGATMA1 | BSC150N03LD | BSC155N06NDATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 4V @ 20µA | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A | 8A | 20A (Tc) | - |
| 電力 - 最大 | 26W | 26W | 50W (Tc) | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.2nC @ 10V | 6.4nC @ 10V | 29nC @ 10V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 60V | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| 基本製品番号 | BSC150 | BSC150 | BSC155 | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™3 | OptiMOS™-T2 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100pF @ 15V | 1100pF @ 15V | 2250pF @ 30V | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 20A, 10V | 15mOhm @ 20A, 10V | 15.5mOhm @ 17A, 10V | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
BSC150N03LDGATMA1 - Infineon TechnologiesのBSC150N03LDGATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSC12DN20NS3GATMACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC150N03LDInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSC159N10LSFGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC130P03LSGVBSEMIBSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100VBSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONBSC160N15NS5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC159N10LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC12DN20NS3GVBSEMIBSC152N10NSFGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSONBSC150N03LDGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC160N25NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC155N06NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSONBSC160N15NS5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC160N10NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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