BSC12DN20NS3GATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 25µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 5.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 680 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | BSC12DN20 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSC12DN20NS3GATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC146N10LS5ATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 | BSC152N10NSFG |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 52W (Tc) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) | 114W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | BSC12DN20 | BSC146 | BSC123 | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A (Tc) | 44A (Tc) | 11A (Ta), 55A (Tc) | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 680 pF @ 100 V | 1300 pF @ 50 V | 1870 pF @ 40 V | 1900 pF @ 50 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 5.7A, 10V | 14.6mOhm @ 22A, 10V | 12.3mOhm @ 33A, 10V | 15.2mOhm @ 25A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 25µA | 2.3V @ 23µA | 3.5V @ 33µA | 4V @ 72µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | 10 nC @ 4.5 V | 25 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 100 V | 80 V | 100 V |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 5 | OptiMOS™ | OptiMOS™2 |
BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon TechnologiesのBSC12DN20NS3GATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSC12DN20NS3GATMACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSONBSC123N08NS3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC123N08NS3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC123N10LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC123N10LSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSONBSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100VBSC123N08NSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSC150N03LDGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC150N03LDInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSC155N06NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC123N08NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONBSC130P03LSGVBSEMIBSC12DN20NS3GVBSEMI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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