AOE6930の技術仕様
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6930技術仕様、属性、パラメーター、およびAlpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6930仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | |
| シリーズ | AlphaMOS | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 24W, 75W | |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc), 85A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| 基本製品番号 | AOE693 |
右側の三つのパーツはAlpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6930と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | AOE6930 | DMN63D8LDW-7 | PMDPB80XP,115 | IRF9910PBF |
| メーカー | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | Nexperia USA Inc. | Infineon Technologies |
| 電力 - 最大 | 24W, 75W | 300mW | 485mW | 2W |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V | 22pF @ 25V | 550pF @ 10V | 900pF @ 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | SOT-363 | 6-HUSON (2x2) | 8-SO |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 20V | 20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc), 85A (Tc) | 220mA | 2.7A | 10A, 12A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | AOE693 | DMN63 | PMDPB80 | IRF99 |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-UFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V | 2.8Ohm @ 250mA, 10V | 102mOhm @ 2.7A, 4.5V | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.8V Drive | Logic Level Gate |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V | 0.87nC @ 10V | 8.6nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| シリーズ | AlphaMOS | - | - | HEXFET® |
AOE6930 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.のAOE6930 PDFデータテーブルとAlpha & Omega Semiconductor Inc.ドキュメントをダウンロード
AOE6410AOSDMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363AOE6580TAOSAOE6930 MOSAOSPMDPB80XP,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSONAOE6964TAOSIRF9910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOICAOE6980AOS
AOE6932Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFNAOE6580AOSAOE6550AOS
UPA2350T1P-E4-ARenesas Electronics America IncMOSFET N-CH DUAL LGAAOE6936Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFNAOE6984AOS
AO8804Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOPAOE6982TAOSAOE6230TAOSAOE66410Alpha & Omega Semiconductor Inc.N| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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