DMN63D8LDW-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN63D8LDW-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN63D8LDW-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.8Ohm @ 250mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 300mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 22pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.87nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | DMN63 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN63D8LDW-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN63D8LDW-7 | DMN63D1LDW-7 | DMN63D8LDW-13 | DMN63D1LV-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.87nC @ 10V | 0.3nC @ 4.5V | 0.87nC @ 10V | 0.392nC @ 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 300mW | 310mW | 300mW | 940mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | SOT-363 | SOT-363 | SOT-563 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.8Ohm @ 250mA, 10V | 2Ohm @ 500mA, 10V | 2.8Ohm @ 250mA, 10V | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 22pF @ 25V | 30pF @ 25V | 22pF @ 25V | 30pF @ 25V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 60V | 30V | 60V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-563, SOT-666 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220mA | 250mA | 220mA | 550mA (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 1mA | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 1mA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DMN63 | DMN63 | DMN63 | DMN63 |
DMN63D8LDW-7 - Diodes IncorporatedのDMN63D8LDW-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN63D1LT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 380MA SOT323DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363DMN63D8LDW-7-FDiodes IncorporatedDMN63D8LDW-7 MOSDiodes IncorporatedDMN63D1L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 380MA SOT23DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
DMN63D9LV-7DIONESDMN63D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563DMN65D8LVBSEMIDMN63D1L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563DMN63D8L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 350MA SOT23DMN63D8LV-7 MOSDiodes IncorporatedDMN63D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 380MA SOT323DMN63D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 380MA SOT323DMN64D8LW-7Diodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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