QRD1113の技術仕様
onsemi - QRD1113技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - QRD1113仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | |
シリーズ | - | |
検出方法 | Reflective | |
検出距離 | 0.050" (1.27mm) | |
反応時間 | 10µs, 50µs | |
パッケージ/ケース | Radial - 4 Leads |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
出力タイプ | Phototransistor | |
運転温度 | -40°C ~ 85°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA | |
基本製品番号 | QRD111 |
右側の三つのパーツはonsemi QRD1113と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | QRD1113 | QRE00034 | RPR-359F | TCND5000 |
メーカー | onsemi | onsemi | Rohm Semiconductor | Vishay Semiconductor Opto Division |
反応時間 | 10µs, 50µs | 10µs, 50µs | 10µs, 10µs | 800ns, 800ns |
検出距離 | 0.050" (1.27mm) | 0.157" (4mm) | 0.138' (3.5mm) | 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ |
パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
検出方法 | Reflective | Reflective | Reflective | Reflective |
基本製品番号 | QRD111 | QRE000 | - | TCND5000 |
出力タイプ | Phototransistor | Phototransistor | Phototransistor | PIN Photodiode |
運転温度 | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
シリーズ | - | - | - | - |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | 30 V | 30 V | - |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 100 mA |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
パッケージ/ケース | Radial - 4 Leads | PCB Mount | PCB Mount | Module |
QRD1113 - onsemiのQRD1113 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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