QRE00034の技術仕様
onsemi - QRE00034技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - QRE00034仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | |
シリーズ | - | |
検出方法 | Reflective | |
検出距離 | 0.157" (4mm) | |
反応時間 | 10µs, 50µs | |
パッケージ/ケース | PCB Mount |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tube | |
出力タイプ | Phototransistor | |
運転温度 | -40°C ~ 85°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA | |
基本製品番号 | QRE000 |
右側の三つのパーツはonsemi QRE00034と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | QRE00034 | EE-SB5-B | VCNT2020 | GP2S60A |
メーカー | onsemi | Omron Electronics Inc-EMC Div | Vishay Semiconductor Opto Division | Sharp Microelectronics |
基本製品番号 | QRE000 | - | VCNT2020 | - |
パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA | 50 mA | 100 mA | 50 mA |
パッケージ/ケース | PCB Mount | PCB Mount | 4-SMD Module | 4-SMD, No Lead |
出力タイプ | Phototransistor | Phototransistor | Phototransistor | Phototransistor |
検出方法 | Reflective | Reflective | Reflective | Reflective |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | 30 V | 20 V | 35 V |
シリーズ | - | - | - | - |
反応時間 | 10µs, 50µs | 30µs, 30µs | - | 20µs |
検出距離 | 0.157" (4mm) | 0.197" (5mm) | 0.02" (0.5mm) | 0.028" (0.7mm) |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
運転温度 | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 80°C | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C |
QRE00034 - onsemiのQRE00034 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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