NVLUS4C12NTAGの技術仕様
onsemi - NVLUS4C12NTAG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVLUS4C12NTAG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UDFN (2x2) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 630mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1172 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 3.3V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NVLUS4 |
右側の三つのパーツはonsemi NVLUS4C12NTAGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVLUS4C12NTAG | SUM90140E-GE3 | DMP3017SFG-7 | FCU2250N80Z |
| メーカー | onsemi | Vishay Siliconix | Diodes Incorporated | Fairchild Semiconductor |
| 電力消費（最大） | 630mW (Ta) | 375W (Tc) | 940mW (Ta) | 39W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Ta) | 90A (Tc) | 11.5A (Ta) | 2.6A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 3.3V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1172 pF @ 15 V | 4132 pF @ 100 V | 2246 pF @ 15 V | 585 pF @ 100 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4.5V @ 260µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UDFN (2x2) | D²PAK (TO-263) | POWERDI3333-8 | I-PAK |
| 基本製品番号 | NVLUS4 | SUM90140 | DMP3017 | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | ThunderFET® | - | SuperFET® II |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 200 V | 30 V | 800 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 9A, 10V | 17mOhm @ 30A, 10V | 10mOhm @ 11.5A, 10V | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-PowerVDFN | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
NVLUS4C12NTAG - onsemiのNVLUS4C12NTAG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
SUM90140E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 90A D2PAKDMP3017SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333FCU2250N80ZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
NVLJF3117PT1GAMI Semiconductor/onsemiFCPF380N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IRFIZ34GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
IRFB7537PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 173A TO220ABFDG330PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2A SC88
IXFH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
SI1303DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3IRFR9214Vishay SiliconixMOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
IXFP3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
FQPF2N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 2A TO220FIRF9Z14SVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
FDPF2D3N10ConsemiMOSFET N-CH 100V 222A TO220F
NVLJD4007NZTAGonsemiMOSFET 2N-CH 30V 245MA 6WDFN
ZXMP6A17E6QTADiodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
ISL9N302AS3STonsemiMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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