NVLJD4007NZTAGの技術仕様
onsemi - NVLJD4007NZTAG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVLJD4007NZTAG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 100µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7Ohm @ 125mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 755mW | |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20pF @ 5V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 245mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NVLJD4007 |
右側の三つのパーツはonsemi NVLJD4007NZTAGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVLJD4007NZTAG | FDS8962C | IRF7756 | BSO150N03MDGXUMA1 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | PowerTrench® | HEXFET® | OptiMOS™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 755mW | 900mW | 1W | 1.4W |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | 26nC @ 10V | 18nC @ 4.5V | 17nC @ 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20pF @ 5V | 575pF @ 15V | 1400pF @ 10V | 1300pF @ 15V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 100µA | 3V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7Ohm @ 125mA, 4.5V | 30mOhm @ 7A, 10V | 40mOhm @ 4.3A, 4.5V | 15mOhm @ 9.3A, 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 12V | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 245mA | 7A, 5A | 4.3A | 8A |
| 基本製品番号 | NVLJD4007 | FDS89 | IRF775 | BSO150 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | 8-SOIC | 8-TSSOP | PG-DSO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
NVLJD4007NZTAG - onsemiのNVLJD4007NZTAG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVLJF3117PT1GAMI Semiconductor/onsemiFDS8962ConsemiMOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOICIRF7756Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOPBSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
DMN53D0LV-7Diodes Incorporated2N7002 FAMILY SOT563 T&R 3K
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
SI9934BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
STS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
AON5802BGAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFNFDS6912onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICEFC2J004NUZTDGonsemiMOSFET NCH 12V WLCSP6 DUALNVLUS4C12NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
NTJD4158CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6
FC6946010RPanasonic Electronic ComponentsMOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6
BUK9K13-60RAXNexperia USA Inc.BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
SH8M11TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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