NTZS3151PT1Hの技術仕様
onsemi - NTZS3151PT1H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTZS3151PT1H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 170mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 458 pF @ 16 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 860mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTZS3151 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTZS3151PT1Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTZS3151PT1H | NTZS3151PT1G | NTZD5110NT1G MOS | NTZD3152PT1H |
| メーカー | onsemi | onsemi | AMI Semiconductor/onsemi | onsemi |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | - | 900mOhm @ 430mA, 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 458 pF @ 16 V | 458 pF @ 16 V | - | 175pF @ 16V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | 5.6 nC @ 4.5 V | - | 2.5nC @ 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | - | 20V |
| 基本製品番号 | NTZS3151 | NTZS3151 | - | NTZD3152 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | - | SOT-563, SOT-666 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 | SOT-563 | - | SOT-563 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 170mW (Ta) | 170mW (Ta) | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - | 1V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 860mA (Ta) | 860mA (Ta) | - | 430mA |
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NTZD5110NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTZD3152PT1HonsemiMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563-6NTZD3154NT1HonsemiMOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563-6NTZD3155CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-563NTZD3155CAMI Semiconductor/onsemiNTZD3155CT1HonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT563NTZD5110NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563NTZD3154NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563NTZS3151PAMI Semiconductor/onsemiNTZD3154NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563NTZD5110NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563NTZD5110NAMI Semiconductor/onsemiNTZD3155CT5GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-563NTZS3151PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 860MA SOT563NTZD3155CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-563NTZD3158PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563NTZD3154NT1AMI Semiconductor/onsemiNTZD3155CT1G MOSAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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