NTZD3155CT5Gの技術仕様
onsemi - NTZD3155CT5G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTZD3155CT5G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 540mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 250mW | |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 150pF @ 16V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 540mA, 430mA | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | NTZD3155 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTZD3155CT5Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTZD3155CT5G | NTZD3155CT1H | NTZD5110NT1G | NTZD3152PT1H |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 540mA, 430mA | 540mA, 430mA | 294mA | 430mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 150pF @ 16V | 150pF @ 16V | 24.5pF @ 20V | 175pF @ 16V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 540mA, 4.5V | 550mOhm @ 540mA, 4.5V | 1.6Ohm @ 500mA, 10V | 900mOhm @ 430mA, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 電力 - 最大 | 250mW | 250mW | 250mW | 250mW |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 60V | 20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | NTZD3155 | NTZD3155 | NTZD5110 | NTZD3152 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5nC @ 4.5V | 2.5nC @ 4.5V | 0.7nC @ 4.5V | 2.5nC @ 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
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NTZD3155CT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTZD3155CT1HonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT563NTZS3151PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 860MA SOT563NTZD5110NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563NTZD3152PT1HonsemiMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563-6NTZS3151PAMI Semiconductor/onsemiNTZD3154NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563NTZD3158PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563NTZD3154NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563NTZD3155CAMI Semiconductor/onsemiNTZD5110NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563NTZS3151PT1HonsemiMOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6NTZD3154NT1HonsemiMOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563-6NTZD5110NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTZD5110NAMI Semiconductor/onsemiNTZD3155CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-563NTZD3155CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-563NTZD3154NT1AMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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