NTQD6968NR2の技術仕様
onsemi - NTQD6968NR2技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTQD6968NR2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 7A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1.39W | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 630pF @ 16V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.2A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NTQD69 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTQD6968NR2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTQD6968NR2 | IRFHM8363TRPBF | NTQD6866R2 | NX7002BKS |
| メーカー | onsemi | Infineon Technologies | onsemi | Nexperia USA Inc. |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.2A | 11A | 4.7A | 60V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 4.5V | 15nC @ 10V | 22nC @ 4.5V | 2.1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 8-TSSOP | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 2.35V @ 25µA | 1.2V @ 250µA | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 基本製品番号 | NTQD69 | IRFHM8363 | NTQD68 | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 7A, 4.5V | 14.9mOhm @ 10A, 10V | 32mOhm @ 6.9A, 4.5V | 240mA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 630pF @ 16V | 1165pF @ 10V | 1400pF @ 16V | 1nC @ 10V |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-PowerVDFN | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 30V | 20V | Logic Level Gate |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | 2 N-Channel (Dual) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 1.39W | 2.7W | 940mW | 320mW |
NTQD6968NR2 - onsemiのNTQD6968NR2 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
IRFHM8363TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFNNTQD6866R2onsemiMOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOPNX7002BKSNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 60V 0.24A 6TSSOP
IRF7317PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOPSI6954ADQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
SI7872DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
FDPC8011SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
ECH8602M-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8SI6981DQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOPFDW2502PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO
STS1DNC45STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
AOC2806Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 20V
NTQ1020NTQD6968NR2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
SI1026X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
NTJD4401NT1onsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363NTQD6968R2onsemiMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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