NTNS3164NZT5Gの技術仕様
onsemi - NTNS3164NZT5G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTNS3164NZT5G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 155mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 3-XFDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 24 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.8 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 361mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTNS3164 |
右側の三つのパーツはonsemi NTNS3164NZT5Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTNS3164NZT5G | IPI029N06NAKSA1 | AOW20S60 | NTNS3A65PZT5GHW |
| メーカー | onsemi | Infineon Technologies | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | onsemi |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 2.8V @ 75µA | 4.1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 155mW (Ta) | 3W (Ta), 136W (Tc) | 266W (Tc) | 155mW (Ta) |
| シリーズ | - | OptiMOS™ | aMOS™ | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 60 V | 600 V | 20 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 24 pF @ 10 V | 4100 pF @ 30 V | 1038 pF @ 100 V | 44 pF @ 10 V |
| パッケージ/ケース | 3-XFDFN | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 3-XFDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | NTNS3164 | IPI029 | AOW20 | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 200mA, 4.5V | 2.9mOhm @ 100A, 10V | 199mOhm @ 10A, 10V | 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 361mA (Ta) | 24A (Ta), 100A (Tc) | 20A (Tc) | 281mA (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) | PG-TO262-3 | TO-262 | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.8 nC @ 4.5 V | 56 nC @ 10 V | 19.8 nC @ 10 V | 1.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±30V | ±8V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 6V, 10V | 10V | 1.5V, 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | - |
NTNS3164NZT5G - onsemiのNTNS3164NZT5G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
IPI029N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3NTND31015NZTAGonsemiMOSFET 2N-CH 20V 200MA 6XLLGAAOW20S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 20A TO262NTNS3A65PZT5GHWonsemiMOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
IRL540AonsemiMOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
FCH072N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
NTPF082N65S3FonsemiMOSFET N-CH 650V 40A TO220F
BSS159NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3NTNS3193NZT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
SIR814DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MMDF4N01HDR2MotorolaTRANS MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-PIN
FDD6682onsemiMOSFET N-CH 30V 75A DPAK
NTNUS3171PZT5GonsemiMOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123IRLU8259PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 57A IPAKFQP50N06onsemiMOSFET N-CH 60V 50A TO220-3NTND3184NZTAGonsemiMOSFET 2N-CH 20V 220MA 6XLLGANTNS3190NZT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
2V7002LT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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